锦州辽晶电子科技有限公司 main business:微电子产品开发；集成电路、电力、电子元器件的设计、生产、销售；计算机技术咨询服务、技术转让及外辅设备、塑料封装、机械零部件设计、制造、销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 辽宁 锦州市 古塔区人民街5段10号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 9121070079767006XC
- 9121070079767006XC
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2007-01-23
- 张亚
- 5050万人民币
- 2007-01-23 至 永久
- 锦州市工商行政管理局
- 辽宁省锦州市太和区松山大街58号
- 微电子产品开发；集成电路、电力、电子元器件的设计、生产、销售；计算机技术咨询服务、技术转让及外辅设备、塑料封装、机械零部件设计、制造、销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN204558461U | 四通路高频小功率晶体管阵列 | 2015.08.12 | 一种四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成 |
| 2 | CN204538019U | 八路整流二极管阵列 | 2015.08.05 | 一种八路整流二极管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在 |
| 3 | CN204497216U | 两路双控稳压点火电路 | 2015.07.22 | 一种两路双控稳压点火电路，包括管壳，其特殊之处是：在管壳上烧结有二个氮化铝陶瓷基板和一个三氧化二铝陶 |
| 4 | CN204497239U | 金属封装大电流、高电压、快恢复二极管 | 2015.07.22 | 一种具有大电流输出能力，散热性能好，可靠性高的能降低正向压降的金属封装大电流、高电压、快恢复二极管， |
| 5 | CN204497227U | 高压大功率逆变器模块 | 2015.07.22 | 一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是：所述 |
| 6 | CN204481020U | 金属封装大电流功率MOS半桥模块 | 2015.07.15 | 金属封装大电流功率MOS半桥模块，包括金属外壳、陶瓷基片、金属过渡片和大电流功率MOS管芯片，其特殊 |
| 7 | CN203503655U | 四通路隔离型点火电路 | 2014.03.26 | 本实用新型公开了一种四通路隔离型点火电路，通过点火电路由分立元器件到混合集成电路的转化，进一步提高产 |
| 8 | CN202042482U | 高压大功率驱动器模块 | 2011.11.16 | 一种结构紧凑，占用空间小，重量轻，组装方便，可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块，包括 |
| 9 | CN202014227U | 直接耦合互补输出级电路 | 2011.10.19 | 一种直接耦合互补输出级电路，包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片，其特殊之处是：所述 |
| 10 | CN202008999U | 功率MOS桥式电路 | 2011.10.12 | 一种功率MOS桥式电路，包括管壳，焊接在管壳上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的钼片，功率MOS管芯片、 |
| 11 | CN202009003U | 铝对通隔离可控硅芯片 | 2011.10.12 | 本实用新型公开了一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面设有氧化层，其特殊之处是:在硅片内设有 |
| 12 | CN202009002U | 低导通压降可控硅芯片 | 2011.10.12 | 本实用新型公开了一种低导通压降可控硅芯片，包括硅片，依次设在硅片背面的钛层、镍层、银层，其特殊之处是 |
| 13 | CN202009341U | 高压大功率逆变器模块 | 2011.10.12 | 一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是：所述 |
| 14 | CN202008998U | 大功率光耦合隔离驱动模块 | 2011.10.12 | 一种大功率光耦合隔离驱动模块，包括管壳，构成功率光耦合驱动电路的集成运算放大器芯片、光耦器件、功率器 |
Map(The red dot in the figure below is 锦州辽晶电子科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
